1603HES1149-1系列線性限幅器
性能特點
l頻率范圍：10-5000MHz
l插入損耗：0.6dB
l低限幅電平：11dBm
l高輸入P-1：10dBm
l高三階交調(diào)抑制：60dBc
l高耐功率：5W(CW)
l快速響應(yīng)時間：10ns
l小封裝尺寸：5×5×2.2mm
典型應(yīng)用
lAD前端保護
l軍事航天
l無線通信設(shè)備
l雷達
l測試測量
l儀器儀表
概述
隨著電子技術(shù)發(fā)展與半導體工藝的進步，接收鏈路的線性度越來越高，中頻放大器的線性功率輸出可達10dBm，飽和功率可達20dBm甚至1W，AD等精密器件的保護問題凸顯。傳統(tǒng)限幅器起限功率小，漏功率高，功率泄露不平坦，線性度差，很難滿足保護AD芯片的要求。
HES1149-1系列限幅器起限功率高(P-1可高達10dBm)，線性度好，功率泄露平坦，漏功率低(可低至13dBm)。金屬陶瓷管殼，平行封焊，氣密封裝，表面貼裝；薄膜工藝，穩(wěn)定可靠，可滿足宇航級應(yīng)用。
電性能表 （50Ω測試系統(tǒng)，TA=+25℃）
型號 |
頻率范圍(MHz) |
差損a(dB) |
駐波a |
限幅電平b (dBm) |
輸入P-1(dBm) |
三階交調(diào)抑制c (dBc) |
最大承受功率(W) |
|||||
Typ |
Max |
Typ |
Max |
Typ |
Max |
Typ |
Min |
Typ |
Min |
|||
HES1149-1 |
10-2000 |
0.4 |
0.8 |
1.5:1 |
1.8:1 |
11 |
13 |
7 |
6 |
55 |
45 |
2 |
2000-5000 |
1.0 |
1.4 |
1.5:1 |
1.8:1 |
9 |
11 |
6 |
5 |
45 |
35 |
2 |
|
HES1149-1A |
60-80 |
0.5 |
0.8 |
1.5:1 |
1.8:1 |
12 |
13 |
10 |
9 |
65 |
60 |
5 |
HES1149-1B |
100-150 |
0.5 |
0.9 |
1.5:1 |
1.8:1 |
12 |
13 |
10 |
9 |
65 |
60 |
5 |
HES1149-1C |
200-300 |
0.6 |
1.0 |
1.5:1 |
1.8:1 |
12 |
13 |
10 |
9 |
65 |
60 |
5 |
HES1149-1D |
300-500 |
0.6 |
1.0 |
1.5:1 |
1.8:1 |
12 |
13 |
10 |
9 |
60 |
55 |
5 |
HES1149-1E |
700-1000 |
0.7 |
1.2 |
1.5:1 |
1.8:1 |
12 |
13 |
9 |
8 |
60 |
55 |
5 |
HES1149-1F |
1000-1500 |
0.8 |
1.2 |
1.5:1 |
1.8:1 |
12 |
13 |
9 |
8 |
60 |
55 |
5 |
HES1149-1G |
2000-3000 |
0.9 |
1.2 |
1.5:1 |
1.8:1 |
11 |
13 |
9 |
8 |
55 |
50 |
5 |
注：“a” Pin=-20dBm；“b” Pin=25dBm；“c” Pin=0dBm，Δf=1MHz。
典型曲線
極限參數(shù)
最大輸入功率 |
5W(CW) |
存儲溫度 |
-65~+125℃ |
工作溫度 |
-55~+85℃ |
使用說明
1.電路圖按照上圖連接，內(nèi)部集成隔直電容；
2.低頻及宇航級產(chǎn)品需用戶外置隔直電容；
3.限幅功率較高，使用中注意散熱；
4.可提供用戶定制的其它頻段產(chǎn)品；
5.背面需良好接地。
外形尺寸
